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英特尔将在美国新墨西哥州拓展全新Optane产线,回应14nm缺货传闻

2019-11-19 20:13:05
英特尔将在美国新墨西哥州拓展全新Optane产线,回应14nm缺货传闻

去年Q3季度Intel爆出了14nm产能不足的问题,如今这个问题已经持续一年了,原本Intwel表态今年底之前彻底解决14nm缺货的问题,但是事情好像没有这么简单,最近还在发酵,14nm产能还是个问题。据报道,Intel 14nm工艺产能再次陷入短缺,这次主要是14nm Comet Lake十代酷睿移动平台,很可能会导致不少见笔记本厂商将一些产品发布推迟到明年。

9月27日消息,对于这一传闻,Intel公司今天也发表了正式声明,内容如下:“我们继续致力于改善PC客户的供需平衡。在2019年上半年,我们看到PC客户需求超出了我们的预期,甚至也超出了第三方的预测。我们增加了14nm产能输出,并计划将10nm产能继续提升,希望假期购物季能上架。尽管我们的产能在不断提升,但是在以PC为中心的业务中,我们依然处于充满挑战性的供需环境中。目前我们正在积极努力应对这一挑战,我们将继续优先考虑支持客户用于高速增长的细分领域的、最新一代的酷睿i、酷睿i7及酷睿i9处理器的供应。”

英特尔26日在韩国首尔举行的全球意见领袖聚会上,介绍一系列最新科技里程碑,并强调英特尔在以数据为中心的运算时代中,将持续推动存储器的投资与发展,包括提供客户独特的Intel Optane技术和Intel 3D NAND解决方案,以便开发云端、AI和网路边缘设备。

资深副总裁暨非挥发性存储器解决方案事业群总经理Rob Crooke表示,世界产生数据的速度越来越快,而企业对于如何有效处理这些数据也显得越来越无所适从。企业要在竞争激烈的产业中胜出的主要区别,就在于谁能够从这些资料中获取价值,而这需要在存储器和储存层级结构进行先进创新,而这便是英特尔目前正推动的工作。

值得注意的是,英特尔在此次活动中透露,将在位于美国新墨西哥州Rio Rancho的工厂拓展全新Intel Optane技术研发生产线,同时宣布代号为“Barlow Pass”的第2代Intel Optane DC持续性存储器(Persistent Memory)搭载新1代Intel Xeon可扩充处理器,预计2020年推出。

此外,英特尔专用于资料中心的SSD也领先业界推出144层4阶储存单元(Quad Level Cell,QLC)NAND闪存,以及为重要企业客户展示了新1代Intel Optane技术单连结埠固态硬盘,相关产品均预计于明年上市。

英特尔表示,机器所产生的大量数据通常需通过即时分析后,才能赋予数据价值。此项需求突显出DRAM容量不足、SSD不够快等缺点。而这些缺点均可通过Intel Optane DC弥补,就连更大量的数据集(data set)也可通过储存介面连接的Intel Optane技术来优化。

至于硬盘速度逐渐无法满足以数据为中心的运算环境,Intel Optane 技术与QLC NAND的组合可改善此状况。整体而言,Intel Optane是材质、架构、与效能兼具的特殊组合,是现有储存技术无法相比的。

目前包括微软在内等众多客户均采用英特尔的储存解决方案,而微软也正对其客户端作业系统进行重大更新,以支持Intel Optane 持续性存储器所提供像是快速启动和游戏读取等众多新功能与特色。

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